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碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术,目前行业采用主流的方法为()。
A、水蒸气相传输法
B、物理气相传输法
C、电流传输
D、直流传输
发布时间:
2024-08-29 10:19:37
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碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术,目前行业采用主流的方法为()。
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碳化硅和氮化硅是理想的高温结构陶瓷,故硅基陶瓷前驱体应以Si-C和Si-N作为主链为宜。
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