抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括
A、Na，K，尤其是K
B、Ca，Cl，尤其是Ca
C、Na，Cl，尤其是Na
D、K，Cl，尤其是Cl
E、K，Ca，Na，尤其是Ca
发布时间：2023-07-26 11:35:14
请在 下方输入 要搜索的题目：
推荐参考答案 (
由 搜搜题库网 官方老师解答 )
答案：
相关试题
- 1.抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括
- 2.抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加
- 3.抑制性突触后电位形成时，突触后膜通透性增加的离子是
- 4.兴奋性突触后电位是突触后膜对哪一种离子的通透性增加而引起的
- 5.兴奋性突触后电位是突触后膜对某种离子的通透性增加而引起的，它是
- 6.兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性( )
- 7.下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是
- 8.抑制性突触后电位的产生是突触后膜出现超极化
- 9.抑制性突触后电位产生时突触后膜局部的变化是( )
- 10.抑制性突触后电位产生时，突触后膜局部电位的变化是
