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根据注入的杂质数量不同,退火温度在( )之间。
A、350~950℃
B、250~950℃
C、450~750℃
D、450~950℃
发布时间:
2023-09-27 10:47:02
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1.
根据注入的杂质数量不同,退火温度在( )之间。
2.
硅钢片退火的温度一般不低于( )。
3.
根据药物和杂质体积大小不同,除去杂质多采用
4.
杂质半导体根据导电载流子的不同分为:( )。
5.
退火处理的温度()钢的热处理临界温度。
6.
根据操作方法的不同,清除杂质的方法分为
7.
过共析钢球化退火温度一般选择为( )。
8.
风选是根据药物与杂质的什么不同以分离药物中所含杂质
9.
离子在光刻窗口直接注入 Si衬底。( )杂质一般在射程大、杂质重掺杂构成的 pn结深时采用。
10.
筛选是根据药物与杂质的什么不同以分离药物中所含杂质的
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