N沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()

A、vGS可正、可负、可为零,vDS为负;
B、vGS可正、可负、可为零,vDS为正;
C、vGS为正,vDS可正、可负、可为零;
D、vGS为负,vDS可正、可负、可为零。