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干法刻蚀不包括( )。
A、物理性刻蚀
B、化学性刻蚀
C、物理化学性刻蚀
D、湿法刻蚀
发布时间:
2023-09-27 10:47:00
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1.
干法刻蚀不包括( )。
2.
影响干法刻蚀速率的主要因素包括( )。
3.
除了CI和 F的气体之外,( )也是干法刻蚀现在常用的气体之一。
4.
在现在的半导体刻蚀制备中,大多数的干法刻蚀都采用CHF3与氯气所混合的等离子体来进行SiO2的刻蚀。
5.
可再生能源不包括()。
6.
三废不包括()。
7.
信息网络不包括( )。
8.
利益冲突不包括______
9.
新能源不包括
10.
新能源不包括()
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