为增强静态型(微机型、集成电路型、晶体管型)保护装置本体的抗干扰能力，()。

A、装置内所有隔离变压器(如电压、电流、直流逆变电源等采用的隔离变压器)的一、二次绕组均必须可靠接地。
B、装置内所有隔离变压器(如电压、电流、直流逆变电源等采用的隔离变压器)的一、二次绕组间必须有良好的屏蔽层，且屏蔽层应在保护屏可靠接地。
C、装置内所有隔离变压器(如电压、电流、直流逆变电源等采用的隔离变压器)的一、二次绕组间必须有良好的屏蔽层，且屏蔽层与一、二次绕组均应在保护屏可靠接地。