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晶体三极管的放大条件有:基极电压比发射极电压高
A、发射结正偏
B、发射结反偏
C、基极电压比发射极电压高
D、基极电压比发射极电压低
发布时间:
2024-06-20 15:02:54
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1.
晶体三极管的放大条件有:基极电压比发射极电压高
2.
硅管基极与发射极之间的电压是( )伏。
3.
当三极管集电极与发射极之间的电压Uce为一定值时,基极与发射极间的电压Ube与基极电流Ib之间的关系,称为三极管的()。
4.
分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开,则该电路的电压放大倍数将( )。
5.
三极管的三个电极分别为基极、集电极和发射极
6.
及以上的断路器、隔离开关、互感器的最大工作电压比其额定电压高( )。
7.
在H参数中,h为基极—发射极间的直流输入电阻。( )
8.
接地变压器的电压比测量电压比偏差不超过±1%(有二次绕组时)。
9.
沿面闪络电压比气体或固体单独存在时的击穿电压都高。
10.
多级放大电路总的电压放大倍数等于各个单级放大电路的电压放大倍数之积,输入电阻等于的输入电阻,输出电阻等于的输出电阻
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