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由于阱内、外的器件距阱边界的距离要求较大,因此减少阱的个数有利于减小芯片( )。
A、能带
B、电子轨道
C、面积
D、能级
发布时间:
2023-09-27 10:46:53
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1.
由于阱内、外的器件距阱边界的距离要求较大,因此减少阱的个数有利于减小芯片( )。
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衬底或者阱也被称为MOS晶体管的阱.
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现代深亚微米CMOS工艺主要为双阱工艺,以便使NMOS和 PMOS分别达到最优。
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雪天行车,由于路面湿滑,车轮附着力减小,因此应加大两车之间的安全距离。
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(判断题)雪天行车,由于路面湿滑,车轮附着力减小,因此应当加大两车之间的安全距离。
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(判断题)雪天行车,由于路面湿滑,车轮附着力减少,因此应当加大两车之间的安全距离。
7.
细胞膜外的正电位和膜内的负电位均减小,即RP向膜内负值减小的方向变化,称为
8.
高压避雷器一般有多节,由于上节单元距地面较高,其内部氧化锌电阻片对地电容与下部氧化锌电阻片的对地电容差别较大,因此一般采用加装均压环和()来减小上部氧化锌电阻片的电压偏差。
9.
由于功率器件存在着寄生电容,器件的高速开通与阻断意味着寄生电容快速充放电。
10.
为减少纱线进入后筘时的过度曲折,从而减少对纱线的摩擦,可适当减小筒子架到整经机头的距离。
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