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APCVD工艺主要用于( )薄膜的制备.通常采用可以连续供片的设备进行淀积。
A、二氧化硅
B、二氧化碳
C、氮化硅
D、GaN材料
发布时间:
2023-09-27 10:46:56
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1.
APCVD工艺主要用于( )薄膜的制备.通常采用可以连续供片的设备进行淀积。
2.
采用真空蒸镀工艺淀积薄膜,应从( )入手来确定具体工艺参数和工艺方法。
3.
薄膜的致密件不是由淀积过程中的衬底工艺温度决定的。
4.
溅射是最早用于金属薄膜制备工艺的PVD方法,曾长期作为微电子分立器件内由极和集成电路互连布线的金属薄膜的制备工艺。
5.
简述硝酸甘油片的制备工艺?
6.
影响化学气相淀积速率的因素除了温度、反应剂浓度之外,化学气相淀积方法、淀积设备种类和反应室结构类型等也对淀积速率有很大影响。
7.
主要用于芯片制作后期的金属类薄膜的制备的是( )。
8.
处方中主要药物的剂量很小,片剂可以采用下列何种工艺制备
9.
从整个蒸镀过程来看,真空室内的( )是所淀积薄膜纯度、致密度高低的关键。
10.
采用工艺检测片,通过对工艺检测片的测试跟踪了解工艺情况。
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