进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持（）m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A、0.35
B、0.5
C、0.6
D、0.7
发布时间：2023-10-09 15:15:25
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- 1.进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持（）m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
- 2.进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持（ ）m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
- 3.直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
- 4.依据变电安规，直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（ ）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
- 5.通电试验过程中，试验和监护人员不得中途离开。
- 6.通电试验过程中，试验和监护人员不得擅自离开。
- 7.通电试验过程中，试验和监护人员（ ）中途（ ）。
- 8.通电试验过程中，试验人员不得中途离开，监护人员经交底后可以离开。（ ）
- 9.通电试验过程中，试验人员不得中途离开，监护人员经交底后可以离开。（）
- 10.通电试验过程中，试验人员不得中途离开，监护人员经交底后可以离开。（ ）
