在小于0V时，氮化镓功率器件的2DEG沟道呈现出（ ），开启电压随着Vgs的绝对值增加而变大，导致了（ ）。应该尽量避免在Vgs≤0V的条件下，使得器件反向导通。
A、二极管特性
B、三极管特性
C、损耗增加
D、电压增加
发布时间：2023-08-08 13:19:00
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- 1.在小于0V时，氮化镓功率器件的2DEG沟道呈现出（ ），开启电压随着Vgs的绝对值增加而变大，导致了（ ）。应该尽量避免在Vgs≤0V的条件下，使得器件反向导通。
- 2.为保障功率场效应管器件安全，在关断过程及其稳态下，器件承受的最高电压Udsm应高于于击穿电压Ub。
- 3.功率场效应管是一个电压控制的电流器件。
- 4.Si材料半导体器件的性能已经接近其理论极限值，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代功率半导体器件开始在诸多方面展示出良好的性能，如导通电阻低、寄生电容小、几乎不存在反向恢复特性等，使其可以工作在更高的开关频率
- 5.功率场效应管是一个（ ）器件。
- 6.MOS晶体管器件跨导随着温度的升高而升高。
- 7.由于功率器件存在着寄生电容，器件的高速开通与阻断意味着寄生电容快速充放电。
- 8.从上世纪70年代开始，随着现代功率器件的发展和普及，越来越多的电源采用（ ）替代（ ）。
- 9.器件通态的输入电容C_iss=（ ）+（ ）。
- 10.同时在开关过程中，必须经由输出特性曲线的饱和区，器件消耗功率等于瞬态电压和电流之积，远远大于（ ）和（ ）的功率。
