Si材料半导体器件的性能已经接近其理论极限值，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代功率半导体器件开始在诸多方面展示出良好的性能，如导通电阻低、寄生电容小、几乎不存在反向恢复特性等，使其可以工作在更高的开关频率，将极大促进开关电源的功率密度和效率提高。