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具有很高的电子饱和速度,击穿场强大,成为研制高温大功率半导体器件和高频微波器件的重要材料的是( )。


A、Si材料
B、GeSi材料
C、SOI材料
D、GaN材料

发布时间:2023-09-27 10:46:54
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