Si材料半导体器件的性能已经接近其理论极限值，以（ ）和（ ）为代表的第三代功率半导体器件开始在诸多方面展示出良好的性能。
A、砷化镓
B、碳化硅（SiC）
C、氮化镓（GaN）
D、磷化铟
发布时间：2023-08-08 13:19:02
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