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在集成电路工艺中对 SiO2的刻蚀是最为频繁的。
A、正确
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发布时间:
2023-09-27 10:43:03
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1.
在集成电路工艺中对 SiO2的刻蚀是最为频繁的。
2.
湿法刻蚀 SiO2的最佳选择是( )。
3.
在现在的半导体刻蚀制备中,大多数的干法刻蚀都采用CHF3与氯气所混合的等离子体来进行SiO2的刻蚀。
4.
附性光刻胶与SiO2表面黏附良好,是保证刻蚀质量的重要条件。
5.
在集成电路制造中,光刻工艺是形成电路图案的关键步骤。
6.
在纳米集成电路制造工艺中,以下哪个因素对最终产品的性能影响最大( )。
7.
在现代集成电路工艺中,使用最多的光刻系统是缩倍分步投影光刻机。
8.
在集成电路制造中,哪个工艺步骤用于在硅片上形成电路图案( )。
9.
以下哪项是集成电路制造工艺中常用的薄膜沉积技术( )。
10.
混合集成电路是由半导体集成电路,膜集成电路和分离元件中( )构成的集成电路。
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